Penerangan:

Cip thyristor persegi ialah sejenis cip thyristor, dan struktur semikonduktor empat lapisan dengan tiga persimpangan PN, termasuk pintu, katod, wafer silikon dan anod.Katod, wafer silikon dan anod semuanya berbentuk rata dan empat segi.Satu sisi wafer silikon dilekatkan dengan katod, satu lagi dilekatkan dengan anod, lubang plumbum dibuka pada katod, dan pintu pagar disusun di dalam lubang.Permukaan pintu pagar, katod dan anod dilapisi dengan bahan pateri.Proses pengeluaran utama termasuk: pembersihan wafer silikon, resapan, pengoksidaan, fotolitografi, kakisan, perlindungan pempasifan, metalisasi, ujian dan dadu.

Portfolio pengeluaran:

• ITAV=25A~200A,

• VRRM=1600V

Jenis pintu:

• Pintu Sudut Segi Tiga: ITAV=25A~60A

• Gerbang Pusat Bulat: ITAV=110A~200A

Struktur:

• Mesa berganda

• Anod berlogam ialah logam berbilang lapisan TiNiAg atau Al+TiNiAg

• Lapisan katod berlogam ialah Al atau TiNiAg

Ciri-ciri:

• Resapan aluminium teragih, penurunan voltan pada keadaan rendah, voltan menyekat tinggi

• Bentuk sudut negatif berganda

• Bahan perlindungan pasif: SIPOS+GLASS+LTO

• IL rendah dan aplikasi luas

• Lapisan aluminium tebal dan ikatan mudah

• Konsistensi pencetus yang sangat baik