Thyristor Kawalan Fasa (Jenis Aloi)

Penerangan:

Thyristor, juga dikenali sebagai Silicon Control Rectifier (SCR), ialah peranti semikonduktor berkuasa tinggi yang terdiri daripada tiga struktur PN.Dari segi prestasi, thyristor bukan sahaja mempunyai kekonduksian satu arah, tetapi juga mempunyai kebolehkawalan yang lebih berharga daripada elemen penerus silikon, yang hanya dua keadaan pengaliran dan keadaan luar, untuk mengawal kuasa besar dengan kuasa kecil, penguatan kuasa sehingga ratusan atau beribu kali.Tindak balas adalah sangat pantas, menghidupkan dan mematikan dalam mikro-saat.Operasi tanpa sentuhan, tiada percikan api, tiada bunyi bising, manakala kecekapan tinggi dan kos rendah.Oleh itu, terutamanya dalam sistem bekalan kuasa tinggi, thyristor telah digunakan secara meluas dalam litar penerus, suis pintasan statik, suis keluaran bebas sentuhan dan litar lain.

Piawaian pembuatan thyristor dan teknologi pemprosesan RUNAU Electronics telah diperkenalkan dari Amerika Syarikat sejak 1980-an, sebagai perintis pembuatan thyristor di China, pasukan teknikal RUNAU telah memperoleh pengetahuan termaju dan pengalaman pembuatan yang mencukupi selama lebih daripada 30 tahun.Pada asas proses pembuatan tradisional, juruteknik berbakat RUNAU Electronics telah membangunkan teknologi canggih dalam pembuatan thyristor dengan ciri-ciri kelebihan produk Eropah, kualiti dan prestasi bertambah baik, lebih banyak kemenangan besar dicapai dalam penggunaan elektronik kuasa medan, dan lebih banyak nilai telah dicipta untuk rakan kongsi.

pengenalan:

1. Cip

Cip thyristor yang dikeluarkan oleh RUNAU Electronics adalah teknologi pengaloian tersinter yang digunakan.Wafer silikon dan molibdenum telah disinter untuk mengaloi oleh aluminium tulen (99.999%) di bawah vakum tinggi dan persekitaran suhu tinggi.Pentadbiran ciri pensinteran adalah faktor utama untuk menjejaskan kualiti thyristor.Pengetahuan RUNAU Electronics di samping menguruskan kedalaman simpang aloi, kerataan permukaan, rongga aloi serta kemahiran resapan penuh, gerbang tengah, corak bulatan gelang telah digunakan untuk membolehkan operasi pengaliran thyristor yang boleh dipercayai dan cekap tinggi, untuk memastikan prestasi berkualiti tinggi.

2. Enkapsulasi

Dengan kawalan ketat kerataan dan keselarian wafer molibdenum dan pakej luaran, cip dan wafer molibdenum akan disepadukan dengan pakej luaran dengan ketat dan lengkap.Ini akan mengoptimumkan rintangan arus lonjakan dan arus litar pintas yang tinggi.Dan pengukuran teknologi penyejatan elektron digunakan untuk mencipta filem aluminium tebal pada permukaan wafer silikon, dan lapisan rutenium yang disalut pada permukaan molibdenum akan meningkatkan rintangan keletihan haba dengan banyak, masa hayat kerja thyristor akan meningkat dengan ketara.

Spesifikasi teknikal

1. Tiristor terkawal fasa dengan cip jenis aloi yang dikeluarkan oleh RUNAU Electronics, julat I_TAVdari 300A hingga 6000A dan V_DRM/V_RRMdari 800V hingga 4400V.
2. I_GT, V_GTdan saya_Hialah nilai ujian pada 25℃, melainkan dinyatakan sebaliknya, semua parameter lain ialah nilai ujian di bawah T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Lebar tapak arus separuh gelombang sinusoidal.Pada 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Pada 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;saya²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: