Suis Cepat Thyristor

Penerangan:

Suis pantas thyristor, dengan struktur yang sama dan simbol kawalan fasa thyristor, manakala ciri statik yang lebih baik, terutamanya ciri dinamik diperlukan oleh penggunaan frekuensi tinggi pembetulan, pencincangan, penyongsang dan litar penukaran frekuensi.Parameter dinamik thyristor pantas ialah kelajuan hidupkan pantas dan kelajuan pengembangan hidup, kurang cas pemulihan terbalik, dan masa tutup yang singkat, kadar kenaikan kritikal yang tinggi bagi arus dalam keadaan (di/dt) dan kadar kritikal bagi kenaikan voltan luar keadaan (dv/dt).Arus undian thyristor pantas dalam frekuensi undian tidak berkurang atau berkurang sedikit apabila frekuensi meningkat.

Piawaian pembuatan thyristor suis pantas dan teknologi pemprosesan RUNAU Electronics telah diperkenalkan dari Amerika Syarikat sejak 1980-an, sebagai perintis pembuatan thyristor di China, pasukan teknikal RUNAU telah memperoleh pengetahuan termaju dan pengalaman pembuatan yang mencukupi selama lebih daripada 30 tahun.Pada asas proses pembuatan tradisional, juruteknik berbakat RUNAU Electronics telah membangunkan teknologi canggih dalam pembuatan thyristor dengan ciri kelebihan produk Eropah, kualiti dan prestasi dipertingkatkan dengan pesat, lebih banyak kemenangan besar dicapai dalam aplikasi elektronik kuasa, dan lebih banyak nilai dicipta untuk rakan kongsi.

pengenalan:

1. Cip

Cip thyristor yang dikeluarkan oleh RUNAU Electronics adalah teknologi pengaloian tersinter yang digunakan.Wafer silikon dan molibdenum telah disinter untuk mengaloi oleh aluminium tulen (99.999%) di bawah vakum tinggi dan persekitaran suhu tinggi.Pentadbiran ciri pensinteran adalah faktor utama untuk menjejaskan kualiti thyristor.Pengetahuan RUNAU Electronics selain menguruskan kedalaman simpang aloi, kerataan permukaan, rongga aloi serta kemahiran resapan penuh, corak bulatan gelang, struktur pintu khas.Juga pemprosesan khas digunakan untuk mengurangkan hayat pembawa peranti, supaya kelajuan penggabungan semula pembawa dalaman sangat dipercepatkan, caj pemulihan terbalik peranti dikurangkan, dan kelajuan pensuisan dipertingkatkan akibatnya.Pengukuran sedemikian telah digunakan untuk mengoptimumkan ciri-ciri pensuisan pantas, ciri-ciri dalam keadaan dan sifat semasa lonjakan.Prestasi dan operasi pengaliran thyristor boleh dipercayai dan cekap.

2. Enkapsulasi

Dengan kawalan ketat kerataan dan keselarian wafer molibdenum dan pakej luaran, cip dan wafer molibdenum akan disepadukan dengan pakej luaran dengan ketat dan lengkap.Ini akan mengoptimumkan rintangan arus lonjakan dan arus litar pintas yang tinggi.Dan pengukuran teknologi penyejatan elektron digunakan untuk mencipta filem aluminium tebal pada permukaan wafer silikon, dan lapisan rutenium yang disalut pada permukaan molibdenum akan meningkatkan rintangan keletihan haba dengan banyak, masa hayat kerja thyristor suis pantas akan meningkat dengan ketara.

Spesifikasi teknikal

1. Suis pantas thyristor dengan cip jenis aloi yang dikeluarkan oleh RUNAU Electronics, rangkaian I_TAVdari 200A hingga 4000A dan V_DRM/V_RRMdari 1200V hingga 4500V.
2. I_GT, V_GTdan saya_Hialah nilai ujian pada 25℃, melainkan dinyatakan sebaliknya, semua parameter lain ialah nilai ujian di bawah T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Lebar tapak arus separuh gelombang sinusoidal.Pada 50Hz, I²t=0.005I²FSM(A²S);
4. Pada 60Hz: I_FSM(8.3ms)=I_FSM(10ms)×1.066,T_j=T_j;saya²t(8.3ms)=I²t(10ms)×0.943,T_j=T_jm

Parameter: